为推动宽禁带半导体领域学术交流，促进相关前沿技术与学科研究深度融合，应广西精密导航技术与应用重点实验室、广西无线宽带重点实验室、信息与通信学院邀请，松山湖材料实验室袁冶研究员、北京大学东莞光电研究院刘强研究员莅临桂林电子科技大学花江校区开展宽禁带半导体专题学术交流报告。本次报告会于 2026 年 5 月 15 日下午 15:00—17:00，在信息与通信学院 402 会议室顺利举行。
会上，刘强博士围绕GaN基功率器件应用探究以及GaN制备方法展开分享，详细介绍了氮化镓材料高耐压、高可靠性的核心技术优势。他系统对比氢化物气相外延（HVPE）、氨热法等主流单晶生长工艺，阐述国内在异质衬底外延应力调控、硅掺杂性能优化、晶面均匀性控制等核心技术瓶颈上的突破成果。针对现有单晶制备工艺良率低、成本高的行业痛点，其团队迭代优化下一代HVPE长晶设备与生产流程，通过优化热场、气路结构设计，精简单晶制备工序，有效提升产品生产良率、降低产业化成本，为氮化镓功率器件规模化量产筑牢技术基础，有力推动我国宽禁带半导体产业高质量发展。
袁冶研究员重点介绍了基于物理气相沉积与高温热退火技术制备2至8英寸氮化铝单晶复合衬底的创新成果。该技术制备的氮化铝衬底具备低成本、低位错密度、原子级平整表面等突出优势，目前已成功实现产业转化。团队通过精细化调控衬底内部应力，在多个关键领域取得突破性进展：在深紫外LED领域，将传统3 μm厚度的氮化铝缓冲层大幅缩减至150 nm，极大降低器件生产成本；在功率电子领域，成功研制出耐压超10 kV的超薄HEMT器件，为千伏级功率器件应用提供全新技术方案；在高频MEMS领域，研发的表面声波谐振器在2.38 GHz频段实现高品质因子、低插损的优异性能，同时成功激发4 GHz高频体波，充分展现了氮化铝单晶复合衬底在下一代微纳电子系统中的广阔应用潜力。
