ICP深硅刻蚀机
设备用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。配置自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度.适用于硅、SOI、SOG的高深宽比刻蚀
ICP深硅刻蚀机
设备用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。配置自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度.适用于硅、SOI、SOG的高深宽比刻蚀