成转〔2024〕17号

根据《桂林电子科技大学科技成果转化管理办法（试行）》（桂电科〔2020〕10号）文件规定，对“一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关系列共5项专利”专利权转让相关事项公示如下：

一、成果基本信息

1. 成果名称：一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关

    2. 成果类型：发明专利，ZL202011057874.2

    3. 成果归属单位：桂林电子科技大学

    4．成果完成人：李琦，杨天波，傅涛，安银冰，孙堂友，陈永和，张法碧，刘兴鹏，李海鸥

    5. 成果简介：本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题,从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调,实现多阈值光开关,通过采用包括厚度小于工作波长的超表面,超表面为规则的几何形状,超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱；等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体；利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率,再阵列等离子体柱获得布拉格散射,使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案,较好的解决了该问题,可用于光开关领域中。           。

6. 法律状态：2022年7月8日授权，有效

1. 成果名称：具有界面电荷槽高压互联结构的功率器件

    2. 成果类型： 发明专利，ZL201810010042.1  

    3. 成果归属单位：桂林电子科技大学

    4．成果完成人：李琦，张昭阳，李海鸥，陈永和，张法碧，傅涛，袁雷雷

5. 成果简介：本发明公开了一种能够产生界面电荷,增强了表面横向电场,提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底；所述漂移区的上方设置有埋层二,所述埋层二上方设置有表面结构；所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二,所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V,提升了65.5％。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀,电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低,大幅提高漂移区浓度,降低电阻,提高击穿电压。

      6. 法律状态：2021年3月30日授权，有效

1. 成果名称：一种具有表面电荷区结构的功率器件

    2. 成果类型： 发明专利，ZL201810399461.9

    3. 成果归属单位：桂林电子科技大学

    4．成果完成人：李琦，张昭阳，李海鸥，陈永和，张法碧，傅涛，鲍婷婷

5. 成果简介：本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件,包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N～(+)电荷区表面电荷区结构,表面电荷区产生界面电荷,增强了电荷区内电场,提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压,降低了漏极附近电场,防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构,工艺简单可行,工艺容差较好,与常规CMOS工艺兼容。

6. 法律状态：2021年10月22日授权，有效

1. 成果名称：基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件

    2. 成果类型： 发明专利，ZL201410333042.7  

    3. 成果归属单位：桂林电子科技大学

    4．成果完成人：李琦，李海鸥，左园，翟江辉

5. 成果简介：本发明公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件,包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层,所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度,且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置,每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本发明通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压,并使得器件的阻断特性获得显著改善。

6. 法律状态：2017年9月29日授权，有效

1. 成果名称：等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件

    2. 成果类型： 发明专利，ZL201410564619.5

    3. 成果归属单位：桂林电子科技大学

    4．成果完成人：李琦，李海鸥，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃

5. 成果简介：本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件,包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10¹³的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成,且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部,且相互之间呈间断设置,并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场,从而有效提高耐压；而且工艺实现简单,与常规CMOS工艺完全兼容。

6. 法律状态：2017年5月10日授权，有效

二、受让单位名称：

内蒙古量子软件有限责任公司

三、转化方式及价格

1、方式：专利权转让

2、拟交易价格：人民币250000元整（250000.00）

3、价格形成过程：由成果完成团队通过协议定价方式确定价格，全体完成人同意并签字。

4、扣除专利成本：5400元。（授权后的专利年费和滞纳金）

四、成果完成人与受让单位关系

以上成果完成人与受让单位不存在利害关系。

在合同签订后7个工作日内（根据合同约定），内蒙古量子软件有限责任公司按合同约定的费用一次性汇至学校账号。

特此公示，公示期为15日，自2024年6月18日起至2024年7月2日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

    联系人：钱老师  联系电话：2208258。

科研院技术转移管理办公室    

                                                                2024年6月18日