关于香港科技大学黄文海副教授来校讲学的预告

应广西精密导航技术与应用重点实验室、广西无线宽带通信与信号处理重点实验室和信息与通信学院邀请，香港科技大学黄文海副教授将于2025年12月3日来校讲学，欢迎全校师生踊跃参加。报告具体安排如下：

报告题目：反思氧化镓功率器件技术

主讲人：黄文海副教授

时间：2025年12月3日（周三）上午10：00

地点：桂林电子科技大学花江校区信通楼402会议室

报告摘要：宽带隙和超宽带隙半导体为电力电子、高频通信和极端环境等多个领域的关键需求创造了独特的机会，这些材料具备包括大临界场强、高电子速度、热稳定性和化学稳定性等的有利属性，展现与现有技术方案相比的显着优势。作为当今研究最为广泛的超宽禁带半导体之一，氧化镓因其在高效电力转换方面的巨大潜力而受到国际跨学科领域的广泛关注，将为新兴中/高压功率应用(如电气化交通、电机驱动系统及可再生能源与电网集成等) 的系统效益和成本的需求开创前沿技术。本次报告将介绍氧化镓功率器件已展示的优势以及有待实现的潜力，以及针对氧化镓功率器件技术的需求而推进的几个研究方向。

主讲人简介：黄文海，男，博士、香港科技大学电子及计算机工程副教授，于2004年在美国康奈尔大学取得电子工程及材料科学双学士学位，于2009年获得美国加州大学圣塔芭芭拉分校电子工程博士学位。

黄教授是首批研究氮极性GaN射频器件的研究人员之一。2011年至2013年在美国SEMATECH公司开发了针对大面积III-V/Si单片集成的分子束外延技术。2013年至2019年在日本情报通信研究机构(NICT)开发Ga2O3功率器件。2019年至2022年在美国马萨诸塞州大学洛厄尔分校担任助理教授。2022年加入香港科技大学。

黄教授著有多篇关于GaN和Ga2O3器件技术的特邀综述，在学术会议或论坛上作邀请报告30余次。他的研究工作获得了多项奖项的认可，包括2012年SEMATECH公司卓越奖和2019年NICT个人成就奖，现担任Journal of Materials Research (Springer) 和IEEE Transactions on Electron Devices的编辑。