关于华中科技大学薛堪豪教授来校讲学的预告

应机电工程学院、广西制造系统与先进制造技术重点实验室和广西高校微电子封装与组装技术重点实验室邀请，华中科技大学薛堪豪教授将于2025年4月11日来校作学术报告，欢迎全校师生踊跃参加。报告具体安排如下：

报告主题：高效、准确的半导体带隙修正方法

报告人：薛堪豪教授

时间：2025年4月11日（星期五）9:00

地点：花江校区实训楼100报告厅

报告人简介：华中科技大学集成电路学院教授，国家级青年人才。本科与硕士分别毕业于清华大学电子工程系与清华大学微电子学研究所，荣获2007年清华大学优秀硕士毕业生。2010年取得美国科罗拉多大学博士学位。博士阶段关于NiO关联电子存储器的工作被国际半导体技术路线图（ITRS）引用，列为Mott存储器的一种原型。在Physical Review Letters等国际期刊上发表论文151篇，其中一作、通讯发表80余篇。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金项目3项，以及华为、高德红外等公司横向项目。入选爱思唯尔全球前2%顶尖科学家榜单。研究领域主要包括半导体能带计算方法、基于二氧化铪的微纳电子器件等。2018年提出的shell DFT-1/2半导体能带计算方法已被WIEN2k、QuantumATK等著名密度泛函软件包采用，被Synopsys公司认为具有更好的带隙精度。2023年提出了铪基铁电成因的七配位理论。

报告简介：器件级别的第一性原理计算以及半导体材料的高通量计算，都需要速度、精度俱佳且无经验参数的半导体能带计算方法。密度泛函理论（DFT）在普通的局域密度近似（LDA）下存在低估半导体带隙的问题，基于自能修正的DFT-1/2方法则可以在LDA的计算速度下完成对离子型半导体的带隙修正。近年来，我们将DFT-1/2推广至对工业界更为重要的共价半导体，提出shell DFT-1/2方法，并针对Ge、III-V等常见半导体取得了良好的计算效果。除此之外，shell DFT-1/2的自能势可用于人工调节原子的电负性，因此可用于理论分析，弥补实验上给定元素的电负性或金属性实际上不能改变的缺憾。本报告中我们介绍三个典型应用。首先是在II类超晶格红外探测材料中，借助shell DFT-1/2实现了电子结构的精确计算。其次，通过电负性的调节，进一步分析GaN、GaP、GaAs分别呈现出直接带隙、间接带隙、直接带隙的原因。最后，针对铪基铁电材料的顺电—铁电相变机制，借助shell DFT-1/2的自能势，提出萤石类铁电体普遍可归为转变的过程。