陈永和，男，广西桂林人，工学博士，副教授。2004年本科毕业于西安电子科技大学，电子科学与技术专业；2015年毕业于西安电子科技大学，微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位，2016年至今，在桂林电子科技大学进行教学和科研工作。在西安电子科技大学进行了多年数模混合集成电路设计研究，后在西安电子科技大学宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室开展多年化合物半导体器件的研究工作，主要从事半导体器件的机理与模型、新型器件结构设计、微波功率器件及数模混合集成电路方面的研究。

研究领域：半导体器件机理与模型、微波功率器件、及数模混合集成电路设计。近年来，主持国家自然科学基金1项，省部级科研项目8项，作为主要完成人参与国家及省部级科研项目10余项。主持和参与了包括 “**波段GaN微波功率器件”、“GaN基E/D模抗**电路技术”等多项国家重点科研项；主持和参与了包括“智能主动降噪芯片研发与产业化”、“高性能AD/DA芯片设计”等多项省部级科研项目。在APPLIED PHYSICS LETTERS、Journal of Applied Physics、Chinese Physics B、AIP Advances、Chinese Journal of Semiconductors等SCI 和EI 源刊杂志上发表和录用论文20余篇。

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