4月11日，应机电工程学院及广西高校微电子封装与组装技术重点实验室邀请，华中科技大学薛堪豪教授在花江校区实训楼100报告厅作题为高效、准确的半导体带隙修正方法的学术报告。
薛教授首先指出，当前器件级第一性原理计算和半导体材料高通量计算亟需兼具速度与精度的无经验参数能带计算方法。针对密度泛函理论（DFT）在局域密度近似（LDA）下存在的带隙低估问题，其团队发展的DFT-1/2方法可在保持LDA计算速度的同时实现对离子型半导体的带隙修正。
近年来，薛教授团队创新性地将DFT-1/2方法拓展至共价半导体领域，提出shell DFT-1/2方法，在Ge、III-V族等常见半导体材料中取得显著效果。该方法不仅能精确计算带隙，其独特的自能势特性还可用于原子电负性的人工调控，为理论研究提供了实验手段难以实现的调控维度。
报告中，薛教授重点分享了三个突破性应用：
在II类超晶格红外探测材料中实现电子结构的精确计算
通过电负性调控阐明GaN、GaP、GaAs呈现不同带隙类型的物理机制
提出基于自能势的铪基铁电材料相变新理论，揭示萤石类铁电体的普遍转变规律
报告深入浅出，既有理论深度又兼具工程应用价值，引发了在场师生的热烈讨论。本次学术活动为我校微电子领域研究提供了重要的理论参考和方法指导。