信息与通信学举办宽禁带半导体前沿报告会

5月15日，应广西精密导航技术与应用重点实验室、信息与通信学院邀请，北京大学东莞光电研究院院长助理刘强博士、松山湖材料实验室袁冶博士来校作学术报告。报告会在花江校区信息与通信学院大楼402教室举行，学院师生代表参加报告会。

会上，刘强博士围绕GaN基功率器件应用探究以及GaN的制备方法，介绍了其高耐压、高可靠性的技术优势。同时，对比了氢化物气相外延（HVPE）、氨热法等主流单晶生长工艺，并介绍该材料在国内已经攻克异质衬底外延应力调控、硅掺杂性能优化、晶面均匀性控制等核心技术瓶颈。针对现有工艺良率低、成本高的痛点，迭代优化下一代HVPE长晶设备与生产流程，改进热场、气路设计，简化单晶制备工序，有效提升生产良率、降低产业化成本，为氮化镓功率器件规模化量产提供重要技术支撑，推动我国宽禁带半导体产业高质量发展。

袁冶研究员介绍了基于物理气相沉积与高温热退火制备2至8英寸氮化铝单晶复合衬底的技术。该衬底具有低成本、低位错密度、原子级平整表面等优势，已实现产业转化。通过精细调控内应力，团队在多领域取得突破：深紫外LED中，将缓冲层厚度从3 μm大幅降至150 nm，显著降低成本；功率电子中，实现耐压超10 kV的超薄HEMT器件，为千伏级应用提供新方案；高频MEMS中，制备的表面声波谐振器在2.38 GHz下获得高品质因子与低插损，并激发4 GHz体波，展现出在下一代微系统中的巨大潜力。